Сфера научных интересов:

• Микропроцессорные системы управления и обработки данных
• Рефлектометрия оптических волокон
• Цифровая обработка сигналов

Публикации:

 статьи:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В., Клевцова Е.А. Влияние дейтерирования на процессы переключения кристалла ТГС // Конденсированные среды и межфазные границы, 2001. Т.3. №3. С.59-61.
2. Иванов В.В., Макаров В.В., Колышева М.В., Клевцова Е.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Материаловедение, 2001. С.6-9.
3. Иванов В.В., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Материалы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров: ВНИИСИМС, 2001. С.260-270.
4. ИвановВ.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в монокристаллах триглицинсульфата, вызванная изменением температуры // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: ТвГУ, 2002. С.61-68.
5. ИвановВ.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в монокристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. Физ. 2003. Т.67. №8. С.1127-1128.
6. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Исследование процессов переключения монокристаллов тгс и дтгс, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, методом эффекта баркгаузена // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва, 2003. С.40-44.
7. Иванов В.В., Макаров В.В., Клевцова Е.А. Спектр времен релаксации в монокристаллах ТГС. Вестник Тверского государственного университета. Серия Физика. Тверь: ТвГУ, 2004. Вып 4(6). С.115-117.
8. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Материалы электронной техники. 2005. №1. С.62-64.
9. Иванов В.В., Иванова Т.И., Макаров В.В. Влияние электронного облучения на динамику доменной структуры в монокристаллах ТГС и ДТГС // Труды VI международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос». Обнинск, 2005. Т.2. С.458-475.
10. Иванов В.В., Иванова Т.И., Макаров В.В. Процессы переполяризации монокристаллов триглицинсульфата, облученных импульсным пучком электронов// Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. №2. С.54-57.
11. Ивлев А., Гордеев М., Макаров В., Зигерт А., Орлов В. Оптические USB рефлектометры. Фотон-экспресс. 2013. №2(106). С. 26-27.

тезисы:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация кристаллов ТГС и ДТГС при коммутации внешнего электрического поля // Тезисы XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж, 1999. С.260-261.
2. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическкая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 7 Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела». Томск, 2000. С.111-112.
3. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. The dynamics of domain structure in TGS and DTGS crystals after change of the  temperature // Abstracts The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures. Китай. 2000. P.47.
4. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. Relaxational procceses in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia, 2000. P.
5. Иванов В.В., Макаров В.В., Колышева М.В., Клевцова Е.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата // Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов. ИК РАН. Москва, 2000. С.429.
6. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 6 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. ВНКСФ-6. Томск, 2000. С.168-170.
7. Ivanov V.V., Klevtsova E.A., Makarov V.V. Dielectric Relaxation in TGS and DTGS crystals under the temperature changing // Abstract10^th International Meeting on Ferroelectricity. Spain, Madrid, 2001. Р.209.
8. ИвановВ.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Процессы переключения в кристаллах ТГС и ДТГС // Тезисы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.127-128.
9. ИвановВ.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Тезисы докладов V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.126-127.
10. ИвановВ.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах». Тула, 2001. С.70.
11. Клевцова Е.А., ИвановВ.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Пятой научной конференции молодых ученых и специалистов. Дубна, 2001. С.46-48.
12. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Исследование процессов переключения кристаллов ДТГС, облученных импульсным пучком электронов // Тезисы VI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2003. С.192-193.
13. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., ЕфимовВ.В. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Тезисы докладов II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской. Москва, МИСиС, 2003. С.394.
14. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of International Jubilee Conference “Single crystals and their application in the XXI centure – 2004”. June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.61-63.
15. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of the International Jubilee Conference “Single crystals and their application in the XXI centure – 2004”. June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.193.
16. Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС // Тезисы XI Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2004, Москва, 2004. С.274.